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μ PA2200T1M
3
2
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
1
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T ch = ? 25 ° C
25 ° C
1
0.1
75 ° C
0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
0.01
125 ° C
V DS = 10 V
Pulsed
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.001
0.01
0.1
1
10
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
80
60
40
Pulsed
80
60
40
I D = 8 A
Pulsed
V GS = 4.5 V
20
0
10 V
20
0
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
40
30
V GS = 4.5 V
10000
1000
C iss
20
10 V
100
C oss
10
I D = 4 A
V GS = 0 V
C rss
0
Pulsed
10
f = 1 MHz
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.1
1
10
100
4
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G19445EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
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